瑞薩溢價35%併購Transphorm!強化第三類半導體GaN技術 一文看懂台廠布局最新動態

2024/01/12 10:10文|馮欣仁日本車用半導體IDM龍頭瑞薩,為了拓展功率半導體以及第三類半導體布局,宣布以每股5.1美元的價格取得氮化鎵(GaN)IDM廠商Transphorm已發行的所有普通股,收購總額約3.39億美元,以Transphorm 1月10日收盤價3.79美元來看、瑞薩開出的收購價溢價約35%。此消息一出,激勵昨晚(11)日Transphorm股價暴漲25.86%。過去瑞薩主要著墨於車用MCU,但有鑑於電動車對於功率半導體需求大增,近來瑞薩也積極發展相關業務。去年瑞薩與碳化矽(SiC)基板龍頭Wolfspeed合作,Wolfspeed將在未來十年為瑞薩提供碳化矽裸晶(bare)及磊晶(epitaxial)晶圓。Wolfspeed供應的優質碳化矽晶圓,可讓瑞薩於2025年開始量產碳化矽功率半導體。因應5G、電動車時代來臨,對於高頻、高壓功率元件需求大增,帶動氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等寬能隙半導體材料興起。相較於矽基元件,GaN元件切換速度增快達十倍,同時可以在更高的最高溫度下運作,這些強大的材料本質特性讓GaN廣泛適用於具備100V與650V兩種電壓範疇持續成長的汽車、工業、電信、以及特定消費性電子應用產品。根據資策會(MIC)資料統計,2022年全球GaN功率元件市占率,前七大廠商分別為 Power Integrations、Navitas、EPC、GaN Systems、Innoscience、Transphorm與Infineon;其中,GaN Systems日前已被Infineon收購。相較於SiC,GaN市場規模較小,根據市調機構Yole Group預估,GaN功率元件的市場規模,將在2027年達到20億美元。在2021-2027年間,整體GaN功率元件市場的複合年成長率(CAGR)為59%。目前國內不少廠商也積極投入GaN,最上游基板廠環球晶、磊晶嘉晶、全新、晶圓代工台積電、世界、漢磊投控、台亞、晶成、聯穎等;以及IDM廠商全訊等。其中,晶圓代工龍頭台積電早在2020年就與功率半導體IDM大廠意法半導體攜手合作開發GaN製程技術,包括: GaN Systems、Navitas等都是台積電的客戶。聯電也透過轉投資的6吋廠聯穎光電進軍氮化鎵晶圓代工,聯手建置技術平台,供客戶設計導入,並與知名的氮化鎵設計公司展開研發8吋代工製程;建置晶圓廠代工技術與產能之外,聯電與策略結盟夥伴封測廠頎邦,也會展開GaN後段的代工合作。8吋晶圓代工廠世界於2018年以Qromis基板技術(簡稱QST)進行8吋QST基板的0.35微米650V電壓的GaN-on-QST製程開發。QST基板相較於以矽(Si)作為基板,具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數(CTE),在製程中堆疊氮化鎵的同時,也能降低翹曲(warpage)破片,更有利於實現量產。日前GaN大廠EPC與晶圓代工廠世界共同宣布簽訂未來數年的8吋氮化鎵功率元件量產合作協議,EPC將採用世界先進高品質製造能力來提升高性能氮化鎵電晶體和IC產能。