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聯穎光電股票新聞

聯電第三代半導體佈局報佳音 旗下聯穎Q3獲利大增5倍、傳產能爆滿擬擴產

鉅亨網記者林薏茹 台北2021/11/14 14:02

聯電 (2303-TW) 近年來攜手持股約 8 成的子公司聯穎光電,積極投入第三代半導體製程開發,受惠 5G、車用等應用需求暢旺,聯穎今年以來傳產能均維持滿載,第三季獲利更較第二季大增 5 倍,帶動營運轉盈;市場也傳聯穎擬現增擴產,明年產能可望翻倍跳增。

聯穎光電今年上半年累計虧損約 6270 萬元,其中第二季獲利約 4000 萬元,翻開聯電財報,前三季累計純益已達 1.88 億元,相當於第三季單季就大賺超過 2.5 億元,純益季增 5.23 倍,獲利能力大幅提升。

聯穎為聯電新投資事業群的一員,成立於 2010 年,主要提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務,生產 CMOS 製程的二極體、MOSFET、及濾波器等,終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、國防航太、光纖通訊、光學雷達及 3D 感測元件等。

聯穎光電 6 吋廠原先呈現虧損,產能利用率也不佳,但業界傳出,去年下半年以來,晶圓代工市況轉佳,在客戶需求大增下,月產能 4 萬多片持續爆滿,帶動營運轉盈;不過,今年第一季因打消一批貨品認列虧損,導致營運再度轉虧。

市場也傳出,由於產能持續爆滿,加上看好後市 5G、電動車等應用對半導體元件的需求,聯穎光電擬辦理現增籌資,擴增產能,明年產能可望較今年翻倍成長。

聯電近年來積極布局第三代半導體,未來聯穎將是主要生產基地,且為進行產業鏈前後段整合,聯電日前也與封測廠頎邦 (6147-TW) 換股結盟,將產線延伸至氮化鎵晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝 (WLCSP) 等代工市場。

搶攻化合物半導體市場 四大陣營整軍備戰

工商時報 涂志豪 2021.10.18

隨著歐盟及美國在政策上加速電動車轉型,加上能源轉換需求及5G通訊等終端應用快速增長,氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等寬能隙材料的第三代化合物半導體市場進入成長爆發期,包括台積電、聯電、中美晶、漢民等四大陣營早已布局多年且蓄勢待發,全力搶攻GaN及SiC龐大晶圓代工商機。

台積電早在2015年就已著手布建矽基氮化鎵(GaN on Si)技術及產能,近年已進入量產階段,除了與意法半導體合作生產車用GaN功率元件與IC,包括Navitas及GaN Systems亦在台積電投片生產100V及650V高壓功率元件。台積電今年已投入第二代GaN增強型高電子移動率電晶體(E-HEMT)量產,100V空乏型高電子移動率電晶體(D-HEMT)進入試產,並打進5G基地台模式供應鏈。

台積電目前有將近20台MOCVD有機氣相層機投入GaN量產,明年預計再增加10台設備擴產。而台積電轉投資世界先進近幾年在8吋GaN on Si研發順利進行,今年底將開始試產送樣,進行產品設計客戶超過10家,明年可望進入量產階段,業界傳出已爭取到國際IDM大廠訂單。

聯電將旗下6吋廠作價給轉投資的聯穎光電,投入功率元件及砷化鎵(GaAs)晶圓代工,而聯電目前著手進行GaN on Si技術開發,未來聯穎會是主要生產基地,且未來會考慮提供8吋晶圓代工。相較於其它陣營,聯電重視生產鏈前後段整合,日前與頎邦換股結盟,將生產線延伸到GaN晶圓凸塊及晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)等代工市場。

中美晶集團在GaN及SiC領域著重上下游垂直整合,環球晶6吋SiC磊晶基板年底月產能可達5,000片,6吋GaN on Si磊晶基板已開出每月2,000片產能,難度最高的4吋GaN on SiC磊晶基板已小量出貨,6吋產能將在明年開出。中美晶轉投資宏捷科扮演晶圓代工要角,已投入GaN on Si及GaN on SiC技術開發及產能布建。至於朋程則投入SiC MOSFET功率元件設計,明年下半年可望延伸產品線到電動車應用。

漢民集團旗下漢磊及嘉晶在GaN及SiC布局多年有成,頻藉與國際IDM廠多年合作關係,近年來已陸續完成產能布建並進入量產。漢磊與特定客戶合作開發0.5微米的30V~350V電壓GaN MOSFET及100V以下電壓GaN E-HEMT製程已進入量產,4吋SiC蕭特基二極體及SiC MOSFET進入量產,6吋SiC晶圓代工將在明年開始量產。嘉晶則是國內唯一擁有量產GaN與SiC磊晶基板的供應商。

MOSFET缺貨、6吋廠接單滿手 聯穎光電、漢磊飆漲

2021/08/31 05:30

〔記者洪友芳/新竹報導〕MOSFET(金氧半場效電晶體)、二極體等分離式元件供不應求,帶動晶圓代工6吋廠接單滿手,除了茂矽(2342)、漢磊(3707)、元隆(6287)等產能全數滿載外,聯電轉手給旗下轉投資的聯穎光電6吋廠產能也爆滿,今年可望延續去年繳出獲利成績單,而漢磊與聯穎光電更挾亦發展熱門化合物半導體,上櫃及未上市股價更是水漲船高。

下半年可望逐季漲價

半導體業界指出,疫情帶動遠距需求激增,加上5G發展,使得市場對高速運算、人工智慧、物聯網與車用電子需求持續增加,晶圓廠產能供不應求,從8吋廠滿載外溢到6吋廠;國際整合元件(IDM)廠又優先支援車用晶片,加上近期馬來西亞疫情轉趨嚴峻,IDM廠無法正常生產營運,使得MOSFET、二極體等分離式元件產能缺口拉大,各家6吋廠紛紛被客戶追產能。

茂矽向董事會提擴產計畫

茂矽、漢磊、元隆等產能全數滿載,茂矽上半年轉虧為盈,漢磊、元隆則第2季轉為獲利;市場預期,以目前市況供不應求來看,下半年可望延續上半年逐季調漲價格的走勢,這將有利於各家6吋廠持續獲利。

茂矽指出,公司評估產能不足,已向董事會提出擴產計畫,但現今設備難覓是一大問題。

業界也指出,聯電多年前將旗下6吋廠作價4億多元轉給轉投資的聯穎光電,原本6吋廠呈現虧損、產能利用率也不佳,但從去年下半年以來,月產能4萬多片持續爆滿,帶動營運轉虧為盈;聯電持股聯穎光電89%,去年財報認列投資獲利5600多萬元。

漢磊股價水漲船高

聯穎光電6吋廠生產CMOS製程的二極體、MOSFET外,也生產砷化鎵、濾波器等,身負聯電布局化合物半導體的研發廠區,挾發展熱門化合物半導體的利多題材,聯穎光電近期在未上市股價已超過70元,與漢磊同為6吋廠股價飆漲股。

鎖定5G、低軌衛星!全訊商用毫米波蓄勢待發,下一步要打入Starlink供應鏈?

5G、低軌衛星可說是近期通訊領域的熱門話題,就連長年深耕於軍用領域的全訊也預計進入商用化市場,推出28GHz、39GHz功率放大器瞄準此市場商機。

全訊於22日舉辦上市前業績發表記者會,宣布將以既有的國防規格技術優勢,採用砷化鎵(GaAs)及氮化鎵(GaN)製程,跨足高階商用市場。現已投入研發並生產5G小型基地台及低軌道衛星用的功率放大器(PA),並開始針對國內及國外一線客戶進行送樣測試。

全訊非常看好PA在毫米波小基地台的發展前景,董事長暨總經理張全生表示,受限於毫米波高頻的物理限制條件,傳輸訊號容易有衰減的問題,故每隔150公尺就需要一個小基地台,而一個小基地台預估需要8~16顆PA元件,因此5G基地台對於PA產量需求將非常大。

為滿足此需求,全訊基於既有Ka-Band頻段(介於30~38GHz頻段)的PA晶片為基礎,研發28GHz、39GHz頻段的PA晶片,並將其封裝後提供1~3W的輸出功率,因應5G毫米波小基地台的應用。張全生談到,PA設計有兩個非常重要關鍵指標,就是功耗與線性度的規格。小基地台的耗電量很高,根據研究統計,台灣4G基地台的耗電量占全台耗電量的3%,未來5G毫米波將對基地台數量需求更高,預估耗電量將占全台耗電量的9%,因此若能在IC設計階段就降低功耗的問題,將有助於降低耗電量;再者,線性度問題關乎訊號的穩定度,由於PA須處理的訊號頻道很多,因此晶片的線性度要求也比較高。

5G、衛星通訊合作廠商大公開

據悉,目前全訊28GHz已經研發出4、5個產品線,主要合作廠商為台揚,目前全訊支援3W的28GHz產品已通過台揚樣品測試驗證。台揚為5G毫米波小基地台的設備商,也是近年國內幾十年來做衛星相關產品有經驗的公司,此次合作意味著,全訊晶片有望導入台揚5G基地台與下個世代低的軌衛星方案之中。

除了台揚之外,台達電的旗下的網通、天線公司也相繼與全訊合作,並且已導入至部份天線模組方案中,在使用後明顯感受到以化合物半導體的方案,會比用矽基多陣列的設計方式所產生的功耗還少,也就是比較省電。

同時,5G毫米波也與國內幾家做天線模組的公司洽談當中,例如稜研、方新、佳邦、啟基;國外部分則是與日本網通大廠洽談中,目前暫不便透露名字。

另一方面,針對低軌衛星市場,主要合作對象為太空中心和工研院。全訊提到,太空中心現正進行接近1,000W功率放大器的合作,預計將用於低軌衛星的雷達偵測應用;而工研院合作則是多聚焦於通訊用途相關,由全訊協助開發K波段(頻段介於10.9~40GHz之間)的晶片,預計今年底到明年初之間開始進行。

此外,全訊國內合作夥伴為正基(為正文子公司),正基預計開發低軌衛星下世代模組。國外方面,全訊透露,該公司目前正積極與提供Starlink衛星設備廠商洽談當中,主要分享PA與升降頻器方案。

IDM生產優勢,5G產能不受阻

針對近期半導體產能緊缺問題,全訊所供應的5G PA產能是否足以因應未來市場需求,也備受關注。該公司表示,全訊為國內唯一專業化合物半導體整合元件(IDM)公司,擁有一座4吋晶圓廠,目前最大產能達上萬片。

全訊提到,過去20幾年來都是走客製化、少量多樣生產模式,實際應用的需求遠低於產能(現在大多以軍用產能為主),目前仍有很大的空間可擴展客戶需求。同時,該公司也與國內幾家化合物半導體代工廠合作,包含穩懋、宏捷科、聯穎光電。

未來因應5G毫米波需求量,若產能需求大於4吋一萬片以上,即會與代工廠進行委製合作案,因此產能方面不會有疑慮。

晶圓代工大廠積極投入GaN制程開發

近來,晶圓代工廠積極佈局第三代半導體材料氮化鎵 (GaN),除龍頭廠台積電已提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務外,世界先進 GaN 制程也預計年底送樣,聯電同樣積極投入 GaN 制程開發,攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。

聯電表示,GaN 制程開發是現有研發計畫中的重點項目之一,目前與轉投資公司砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎合作,仍處於研發階段,初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標,未來也會考慮邁向 8 吋代工。

聯穎是聯電持股 81.58% 子公司,為其新投資事業群的一員,提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務,終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達,及 3D 感測組件等。目前營運持續虧損,去年虧損 2.79 億元,今年首季則虧損 861 萬元。

目前包括台積電、漢磊投控集團的晶圓代工廠漢磊科,6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工制程均已量產;台積電今年 2 月也宣佈結盟意法半導體,意法將採用台積電的 GaN 制程技術,生產氮化鎵產品,加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市,攜手搶攻電動車市場商機。

世界先進在 GaN 材料上已投資研發 4 年多,與設備材料廠 Kyma、及轉投資 GaN 矽基板廠 Qromis 攜手合作,著眼開發可做到 8 吋的新基底高功率氮化鎵技術 GaN-on-QST,今年底前將送樣客戶做產品驗證,初期主要瞄準電源相關應用。

 

聯電積極投入GaN製程開發 佈局高效能電源功率元件市場

晶圓代工廠近來積極佈局第三代半導體材料氮化鎵 (GaN),除龍頭廠台積電 (2330-TW) 已提供 6 吋 GaN-on-Si(矽基氮化鎵) 晶圓代工服務外,世界先進 (5347-TW) GaN 製程也預計年底送樣,聯電 (2303-TW) 同樣積極投入 GaN 製程開發,攜手子公司聯穎佈局高效能電源功率元件市場。

聯電表示,GaN 製程開發是現有研發計畫中的重點項目之一,目前與轉投資公司砷化鎵 (GaAs) 晶圓代工廠聯穎合作,仍處於研發階段,初期將以 6 吋晶圓代工服務為目標,未來也會考慮邁向 8 吋代工。

聯穎是聯電持股 81.58% 子公司,為其新投資事業群的一員,提供 6 吋砷化鎵晶圓代工服務,終端產品應用領域包括手機無線通訊、微波無線大型基地站、無線微型基地台、物聯網、國防航太、光纖通訊、光學雷達,及 3D 感測元件等。目前營運持續虧損,去年虧損 2.79 億元,今年首季則虧損 861 萬元。

目前包括台積電、漢磊投控 (3707-TW) 集團的晶圓代工廠漢磊科,6 吋 GaN-on-Si 晶圓代工製程均已量產;台積電今年 2 月也宣布結盟意法半導體,意法將採用台積電的 GaN 製程技術,生產氮化鎵產品,加速先進功率氮化鎵解決方案開發與上市,攜手搶攻電動車市場商機。


1 杯咖啡,偷走億元砷化鎵關鍵技術

財訊》獨家取得美國 FBI 調查報告,掀開中國成都嘉石科技過去 8
年,如何在美、台兩地,用高位和高薪利誘工程師,突破美國高階通訊晶片的技術封鎖。間諜案中一個關鍵場景,竟在林口星巴克門市。

農曆年前的 2 月 3
日,一則少有人關注的新聞刊登在報紙上,標題寫著:「涉嫌出口軍事晶片到中國,台裔教授被拒保釋」,但熟悉內情的科技界人士都知道,這是一起橫跨美、中
、台三地半導體產業間諜案的關鍵轉折。

一家星巴克成技術突破口
林口的咖啡廳變交易大本營
事件主角是位於成都的嘉石科技(後更名為海威華芯),過去 8
年,他們在美國矽谷和台灣桃園布下了綿密的產業間諜網,不但造成台灣砷化鎵產業投資價值達 75
億元以上的研發成果,被嘉石科技輕易取得,還有可能讓中國取得生產先進軍用雷達關鍵元件的技術能力,改寫中美兩國之間的遊戲規則。更令人驚訝的是,中國突破美國設下的技術障礙,突破口之一,竟是位在新北市林口復興北路的一家小小星巴克門市。

故事從 2011
年開始談起。這一年,美國開始調查,中國中興通訊把美國禁止出售的通信設備賣給伊朗電信,根據美國司法部調查,為了繞過美國禁運的禁令,中興還特別組成一支 13
個人的小組美化財報,所有和伊朗案有關的電子郵件,每天都會自動被系統刪除。

中興為何如此戒慎恐懼?因為,中興雖然能賣電信系統,但其中和通信相關的晶片,卻全都由美國公司提供,通信晶片用的多半是化合物半導體,例如,一種稱為砷化鎵的技術,少了這種半導體技術,即使像中興這樣的中國國家隊企業,都做不出電信設備。
2010 年,一家叫嘉石科技(後改名為海威華芯)的公司在成都成立。嘉石原本只是一家 5
億元人民幣資本額的小公司,砷化鎵技術也遲遲沒有突破,但這家公司和中國官方關係深厚。嘉石總經理高能武,是中國電子科技集團公司(簡稱中電科)第二十九研究所的主任研究員,百度百科的資料寫明,中電科是直屬國務院的大型國企,「是軍工企業的國家隊」,從雷達方陣、衛星技術,甚至太空通訊用的電子系統都由二十九所負責開發。

台灣重量級專家在美被捕
石宇琦把 MMIC 技術賣給中國
《財訊》取得美國司法部引用 FBI 幹員的調查報告指出,從 2011
年開始,嘉石科技找到一個來自台灣的重量級專家石宇琦(Yi-Chi
Shih)出任總裁(President)。石宇琦的經歷顯赫,他和美國軍方關係密切,根據《財訊》取得的訴狀,石宇琦曾在 1982 到 1984
年間擔任美國海軍研究生院(Naval Postgraduate
School)電機系副教授。接著,他到美國大型軍火公司,負責單片氮化鉀微波集成電路晶片(MMIC)設計與開發。石宇琦確實是這方面的技術高手,因為 1997
年,他成立一家 MMCOMM 公司,開發先進的點對點通訊技術和雷達技術。2007 年,他再把這家公司賣給美國大型軍火商。從美國訴狀的內容可以看出,石宇琦 20
多年的職業生涯,大部分和美國軍火工業打交道。

沒想到,2018 年 1 月 19
日,石宇琦卻在美國被捕,罪名是涉嫌向中國出口受管制的敏感技術與晶片及跨國洗錢,最高可判 25 年重罪,關鍵就在於他把他最擅長的 MMIC
晶片賣到中國。

2010 年時,嘉石科技和成都雷電微力合作開發晶片,根據美國司法部訴狀指出,這兩家公司和西安兵器工業集團第
206 研究所合作,開發雷達用的晶片架構,兩家公司再成立一家叫成都嘉納海威的公司,負責生產石宇琦最擅長的 MMIC
晶片。成都雷電微力的總經理則叫陳亞平(Chen Yaping,音譯)。

2010 年,一筆 100 萬美元巨款從 Chinatrust(中國信託)銀行匯進石宇琦任總經理的
Pullman Lane
公司,陳亞平的名字反覆在匯款名單出現,特別的是,石宇琦一輩子在做晶片,他成立並親自經營的公司,登記的營業項目卻是「影片拍攝」,計劃進軍娛樂業。從訴狀中石宇琦往來的信件內容可以看出,他正打算透過在新加坡和北京的創投公司,和嘉石合作,再做一筆大生意。從
2010 年之後,他在美國、加拿大、香港布建了複雜的金流和人脈網,反覆刺探美國最尖端的半導體技術。

台廠技術早就被中資鎖定
一家成都公司不擇手段竊取營業祕密
最關鍵的一天,是 2013 年 12 月 26
日;這一天,石宇琦透過他能控制的影子公司,從美國最尖端的晶片公司,買下一批 MMIC
晶片;同一天,他花十幾萬美元製作完成的晶圓片,寄到加州的人頭手上,要買到這批晶片,必需不斷簽下保證不出口美國的同意書,但一收到晶片,他就透過電子郵件下令,用最快的速度,以
FedEx(聯邦快遞)寄到香港另一個人頭手上,報關項目只簡單填「玻璃樣品」並虛報商品價值只有 100
美元。信件寄到當天,香港的人頭就收到通知,會有人從北京將這批晶片帶走。透過石宇琦建立的網路,嘉石科技開始建立氮化鎵等尖端化合物半導體的製造能力。

設計是一回事,要能量產尖端的化合物半導體,仍然十分有挑戰性。2015
年,中國最大的飛機維修公司海特高新增資嘉石科技 5 億 1
千萬人民幣,準備量產化合物半導體晶圓,嘉石總經理高能武於是把目標指向台灣,希望補齊這塊技術缺憾的最後一片拼圖。

第一個關鍵人物,是台灣人楊光宇,他原本是台灣聯穎光電的研發經理,根據《自由時報》報導,楊光宇在 2013
年從聯穎離職後曾到嘉石工作。2015 年,高能武改聘楊光宇為顧問,並把他派回台灣,檢方認為,任務就是在台灣竊取量產砷化鎵的關鍵技術。

做砷化鎵晶圓並不容易,砷化鎵最頂尖的製程,就是 6
吋的砷化鎵晶圓,當時中國沒有任何一間公司能生產,就連台灣大廠穩懋都是咬牙苦撐,投資多年之後,才在 2007
年發展出量產技術,讓公司轉虧為盈,因而拿下全球頂尖半導體公司 Avago(安華高,後購併博通)的生產代工訂單。

台積電也爆內鬼洩密?工程師偷28奈米機密
跳槽大陸科技公司

台積電遭離職工程師於任職期間內,非法重製營業秘密案件,經新竹地檢署偵查終結提起公訴。起訴書指出,台積電公司吳姓工程師於任職期間即106年9月間,非法重製28奈米之重要製程相關文件,擬於106年12月份離職後,攜出至中國無錫華潤上華科技有限公司任職,意圖在中國使用非法重製營業秘密。
全案經檢方偵查終結,檢察官認定吳姓工程師涉犯營業秘密法意圖在大陸使用而未經授權重製、使用及洩漏他人營業秘密罪嫌,以及刑法背信罪嫌,將全案提起公訴。
起訴書指出,台積電吳姓工程師於106年9月任職期間,非法重製有關臺積電公司28奈米重要製程相關文件,擬於106年12月份自台積電離職後,攜出至大陸無錫華潤上華科技有限公司任職,意圖在大陸地區使用上開非法重製之營業秘密。
全案業經偵查終結,檢察官認定吳姓工程師涉犯營業秘密法第13條之2第1項、第13條之1第1項第2款之意圖在大陸地區使用而未經授權重製、使用及洩漏他人營業秘密罪嫌及刑法第342條第1項之背信罪嫌,對被告提起公訴。 

華潤集團在1997年成立華潤上華半導體,正式進軍半導體領域。隨後以購併方式擴大業務,目前擁有6吋及8吋晶圓代工廠,製程可達到0.11微米,服務消費電子的IC客戶。除代工外,華潤微電子也擁有自己的IC設計公司、封裝測試及分離式元件等半導體服務。

聯穎光電內鬼 盜賣機密給對岸

新竹科學園區聯電集團子公司聯穎光電澹姓研發工程師涉嫌出賣內部機密文件給大陸某高科技公司,根據了解,他所賣出的砷化鎵及氮化鎵晶圓代工產品資料,可廣泛應用於手機、無線電及軍用高功率雷達通訊設備中,27日前往公司搜索並約談到案,依《營業秘密法》移送法辦。

近年大陸將砷化鎵及氮化鎵晶片研發列為經濟重點發展項目,計畫在北京、成都及福州等地建廠量產,不惜重金投資設備並挖角人才,部分當地不肖廠商甚至長時間在台部署商業間諜,有計畫地從外部收買或安排人員在標的企業任職以竊取營業秘密。

檢調去年11月追查穩懋案商業間諜案,後續查出聯穎光電澹姓研發工程師也與楊光宇合作,出賣聯穎光電內部機密文件,意圖竊取同類型營業秘密。

根據了解,聯穎光電生產砷化鎵及氮化鎵晶圓代工產品,可廣泛應用於手機、無線電及軍用高功率雷達通訊設備,為民間及軍方設備所不可或缺的零組件,相關技術受到管制不得輸出至大陸地區。

澹姓工程師擅自重製並提供內部技術資料及相關產品進度等資訊,給楊光宇在大陸工作時參考,獲取所需機密資料後,即給予數萬元不等報酬,桃市調處與新竹市調查站聯手偵辦,搜索澹姓工程師住家及公司電腦及其辦公桌資料。
聯穎光電~1工程師遭約談聯穎光電爆內鬼盜賣機密

  調查局於去偵辦穩懋半導體商業間諜楊光宇案,循線查出聯電集團子公司聯穎光電研發工程師澹台富國,涉嫌與楊光宇合作出賣聯穎光電內部機密資料,昨(27)日搜索澹台富國住家及其辦公桌並約談澹台調查,訊後將依涉及營業秘密罪嫌移送桃園檢方偵辦。
調查局去年11月偵辦楊光宇、掮客龍嘉弘透過各種管道接觸穩懋離職或現任工程師,開出優渥條件,引誘工程師竊取公司商業機密,並帶多名工程師去大陸光電公司面試,酬勞包括簽約金200萬元,月薪15萬元。調查局得知楊光宇將於去年11月9日帶穩懋的張姓、董姓和白姓工師到大陸,於同月5日緊急收網,目前5人都被羈押。
調查局桃園機動站循線抽絲剝繭,發現新竹科學園區聯電集團子公司聯穎光電,擁有博士學位的研發工程師澹台富國亦涉嫌與楊光宇合作,將砷化鎵及氮化鎵晶片製程的資料提供給大陸光電廠,也曾到大陸面試,但疑因對月薪及簽約金不滿意沒有馬上答應。
調查局桃園機動站副主任李秩義指出,該站發現澹台富國涉案後,主動通知聯穎光電,聯穎光電啟動內部調查才知道最新製程技術被盜賣。他指出,大陸將砷化鎵、氮化鎵晶片研發列為經濟重點項目,計畫在北京、成都及福州建廠量產,不惜重金投資設備並挖角人才,近來多件光電廠的商業間諜都是大陸廠商在背後指使,他呼籲國內的工程師不要觸法。<摘錄工商>

 

旗下聯穎併坤鉅聯電布局砷化鎵代工

  看好功率放大器(PowerAmplifier,PA)在行動裝置及物聯網市場的強勁需求,聯電(2303)近期積極布局投入PA元件的砷化鎵(GaAs)晶圓代工市場,除了去年底將6吋廠售予聯電轉投資的GaAs晶圓代工廠聯穎光電,昨日再代聯穎宣布併購另一GaAs晶圓代工廠坤鉅科技。
今年是大陸智慧型手機進入4G時代的關鍵年,由於大陸三大電信業者均要求今年上市的4G新機要支援5模10頻,而包括聯想、華為、中興、小米等一線大廠,4G手機均要能支援全球20頻段,因此需要採用更多的PA晶片。
此外,物聯網應用今年開始出現爆炸性成長,為了讓物物相聯,不論是採用WiFi或藍牙等無線網路技術,均需要搭載PA晶片。也因此,去年下半年PA晶片嚴重供不應求,包括Skyworks、RFMD、Avago等大廠均接單大爆滿,並持續擴大委外代工,所以台灣GaAs晶圓代工廠宏捷科、穩懋等今年營運展望樂觀,而聯電則決定搶進GaAs代工市場爭取訂單。
聯電去年底宣布參加聯穎光電現金增資案,最高認購金額不超過5.4億元,同時也將位於新竹科學園區的Fab6A廠廠房及設備售予聯穎光電,出售價格合計4.4億元,聯電並可認列3.75億元的處分利益。而聯電此舉等於是讓聯穎光電擁有完整的GaAs晶圓代工產能。
聯電昨日亦代聯穎光電公告以換股方式併購坤鉅科技,換股比例為每3.333股坤鉅股票換發1股聯穎光電普通股,合併基準日為今年4月1日。預計合併後可整合整體資源,提升競爭力,並結合雙方在GaAs研發能力降低營運成本,提升營運績效,創造更大獲利空間,也可爭取國際大廠代工訂單。<摘錄工商>

 

聯電旗下聯穎新廠落腳山東

看好光電用發展,聯電(2303)新事業投資公司去年8月成立的聯穎光電,將砷化鎵太陽能電池製造為主要業務。聯穎確定廠房落腳大陸山東,初期投資額不大於900萬美元(約新台幣2.65億元)。
聯電去年8月成立聯穎光電,跨入砷化鎵晶圓代工領域,在砷化鎵市場一度死寂下,聯電100%出資成立聯穎光電,市場矚目。
聯穎昨(24)日公告在山東成立山東聯穎。聯電表示,主要是廠房已經確定落腳山東,也是聯電太陽能在山東布局的生力軍。
看好砷化鎵未來在太陽能、光通訊等應用,聯穎光電的廠房確定山東,但聯電表示,動工時間尚未確定。<摘錄經濟>

 

聯電處分6A廠予子公司聯穎光電

聯電(2303)今公告處分6A廠予子公司聯穎光電,總額4.4億元,處分利益約3.75億元,今董事會也通過將參加聯穎光電現金增資案,增資金額以5.4億元為限,實際投資將視聯穎其他股東繳款狀況而定,持股比重將不超過88.05%,同時董事會也通過93.4億元資本預算,將用以擴充28奈米製程產能。(蕭文康/台北報導)

 

 

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聯電擬加碼投資聯穎光電

 

晶圓代工廠聯電將加碼投資砷化鎵晶圓代工廠聯穎光電,增加投資金額以新台幣3億元為限。

聯穎光電成立於民國99年10月,主要投入砷化鎵晶圓代工業務,目前資本額11.81億元;聯電為最大股東,持股比重達74.69%。

聯穎光電營運虧損,據聯電財報資料顯示,聯穎光電前3季稅後淨損2.33億元,每股虧損1.97元。

為彌補虧損、改善財務結構及充實營運資金,聯穎光電計劃減資再增資。聯電決定參與聯穎光電現金增資,增資額度以3億元為限。1021221

 

 

聯穎光電公司簡介

 

聯穎光電股份有限公司成立於民國九十九年十月,為聯電集團新投資事業群的一員,目前座落於台灣新竹科學園區聯電 Fab 6A廠區,為竹科第一座六英吋砷化鎵純晶圓代工服務公司。

聯穎擁有最先進的III-V 族製程與製造設備,利用規模化生產以提供客戶高度競爭力的附加價值,生產提供終端商業應用之高性能元件以及高品質的砷化鎵微波電晶體及射頻積體電路,同時跨足再生能源領域,提供聚光型太陽能電池晶片之代工服務。

聯穎提供專業、彈性、具競爭力的晶圓代工服務及最先端的砷化鎵電晶體製程技術予全球積體電路設計公司及整合元件製造廠。本著持續創新原則,擁有紮實技術的聯穎研發團隊將持續推出最尖端的III-V族技術 ; 聯穎亦將秉持聯電一流的製造能力與務實、效率的管理精神,為客戶創造最大的價值。

另為配合母公司聯華電子之營運計劃,聯穎已自聯華電子取得原 Fab6A 所有固定資產以及所有 6 吋矽基 CMOS 產品線。透過此次資產轉移,聯穎正式跨入矽基 CMOS 晶圓專工業務,未來營收基礎將更穩健,財務結構更為強化,將更能貼近市場與客戶需求,靈活調變砷化鎵產能的擴展幅度,為全球客戶提供更好的晶圓代工服務產能支持,以達企業永續經營、持續成長的目標。

藉由提供III-V族及CMOS Specialities 業界最廣泛產品組合的 6 吋晶圓代工服務,以及最佳化的獨特雙軌式晶圓代工商業模式,聯穎期許於不久的將來能夠在全球特殊半導體市場躋身領先地位。

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聯穎光電公司基本資料

統一編號 53170263
公司狀況 核准設立  
公司名稱 聯穎光電股份有限公司  (出進口廠商英文名稱:WAVETEK MICROELECTRONICS CORPORATION)
章程所訂外文公司名稱
資本總額(元) 2,400,000,000
實收資本額(元) 1,843,956,780
每股金額(元) 10
已發行股份總數(股) 184,395,678
代表人姓名 賴明哲
公司所在地 新竹科學園區新竹縣創新一路10號3樓
登記機關 科技部新竹科學園區管理局
核准設立日期 099年10月18日
最後核准變更日期 110年06月11日
複數表決權特別股
對於特定事項具否決權特別股
特別股股東被選為董事、監察人之禁止或限制或當選一定名額之權利      無
所營事業資料 CC01080  電子零組件製造業
F401010  國際貿易業
CC01060  有線通信機械器材製造業
CC01070  無線通信機械器材製造業
研究、設計、開發、製造及銷售下列產品:
(1)砷化鎵系異質接面雙極性電晶體射頻功率放大器元件與擬晶性高電子遷移率
電晶體射頻開關元件(GaAs-based HBT RF Power A
mplifier & pHEMT RF Switch Device)
(2)砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(GaAs based
Hetero-junction Bipolar Transistor Epiwafer)
(3)砷化銦鎵假晶式高速電子移動電晶體磊晶片(InGaAs
Pseudo-morphic High Electron Mobility Transistor Epiwafer)
(4)低導通電壓銻砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(Low Turn-on Voltage GaAsSb HBT Epiwafer)
(5)超高電壓砷化鎵異質接面雙載子電晶體磊晶片(High Voltage GaAs HBT Epiwafer)
(6)砷化鎵異質接面雙載子電晶體暨假晶高速電子移動電晶體磊晶片(BiHE
MT Epiwafer)
(7)積體電路
(8)各種半導體零組件
(9)積體電路測試與包裝

聯穎光電董監事持股

序號 職稱 姓名 所代表法人 持有股份數(股)
0001 聯穎光電董事長 賴明哲 聯華電子股份有限公司 148,112,434
0002 聯穎光電董事 洪圭鈞 聯華電子股份有限公司 148,112,434
0003 聯穎光電董事 王瑋哲 聯華電子股份有限公司 148,112,434
0004 聯穎光電監察人 彭志強 15,001


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